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February 2011
FDB8132_F085
N-Channel PowerTrench ? MOSFET
30V, 80A, 1.6m Ω
Features
Typ r DS(on) = 1.4m Ω at V GS = 10V, I D = 80A
Typ Q g(10) = 209nC at V GS = 10V
Typ Q g(10) = 269nC at V GS = 13V
Low Miller Charge
Low Q rr Body Diode
UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
Qualified to AEC Q101
RoHS Compliant
TO-263AB
FDB SERIES
Applications
12V Automotive Load Control
Starter/Alternator Systems
Electronic Power Steering Systems
DC/DC converter
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB8132_F085 Rev. C1
1
www.fairchildsemi.com
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